M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
Дата выхода на рынок | 2021 |
Подсветка | Нет |
Вариант поставки | OEM |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Контроллер | Samsung Elpis |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Нет |
Аппаратное шифрование | Да |
Скорость последовательной записи | 5000 |
Скорость последовательного чтения | 6900 |
Средняя скорость случайного чтения | 800000 |
Средняя скорость случайной записи | 800000 |
Характеристики
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Realtek RTS5763DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1400 MBps, случайный доступ: 250000/240000 IOps
Дата выхода на рынок | 2018 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Код товара | itm000000134855 |
Контроллер | Realtek RTS5763DL |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Нет |
Аппаратное шифрование | Нет |
Скорость последовательной записи | 1400 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.14 |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 2100 |
Средняя скорость случайного чтения | 250000 |
Средняя скорость случайной записи | 240000 |
Энергопотребление (чтение/запись) | 0.33 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
Размеры устройств M.2 [Технические характеристики] | 2280 |
Характеристики
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps, случайный доступ: 180000/150000 IOps
Дата выхода на рынок | 2018 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Код товара | itm00874808790 |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Нет |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 1500 |
Скорость последовательного чтения | 1800 |
Средняя скорость случайного чтения | 180000 |
Средняя скорость случайной записи | 150000 |
Размеры устройств M.2 [Технические характеристики] | 2280 |
Характеристики
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
Подсветка | Нет |
Вариант поставки | OEM |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 7 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Охлаждение | Нет |
Совместимость с PS5 | Нет |
Аппаратное шифрование | Нет |
Скорость последовательной записи | 450 |
Скорость последовательного чтения | 500 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Кэш | Нет |
Характеристики
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
Подсветка | Нет |
Вариант поставки | розничная |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Толщина | 3.8 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 400 |
Аппаратное шифрование | Нет |
Скорость последовательной записи | 1700 |
Скорость последовательного чтения | 2100 |
Средняя скорость случайного чтения | 220000 |
Средняя скорость случайной записи | 200000 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
Характеристики
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/430 MBps
Дата выхода на рынок | 2018 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 7 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Контроллер | Silicon Motion SM2258XT |
Охлаждение | Нет |
Аппаратное шифрование | Нет |
Скорость последовательной записи | 430 |
Скорость последовательного чтения | 530 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1000000 |
Ресурс записи [Технические характеристики] | 120 TBW |
Характеристики
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
Дата выхода на рынок | 2018 |
Тип микросхем Flash | TLC |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Код товара | itm000000137906 |
Контроллер | Silicon Motion SM2258XT |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 120 |
Скорость последовательной записи | 430 |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 530 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Ресурс записи [Технические характеристики] | 120 TBW |
Размеры устройств M.2 [Технические характеристики] | 2280 |
Характеристики
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps
Дата выхода на рынок | 2019 |
Комплект поставки | отдельный накопитель |
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 7 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Код товара | itm01008848619 |
Контроллер | Silicon Motion SM2259 |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 300 |
Аппаратное шифрование | Да |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 520 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.06 |
Ресурс записи | 300 TBW |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 550 |
Средняя скорость случайного чтения | 90000 |
Средняя скорость случайной записи | 80000 |
Энергопотребление (чтение/запись) | 3.2 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1000000 |
Ресурс записи [Технические характеристики] | 300 TBW |
Характеристики
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 430000/530000 IOps
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Да |
Ресурс записи | 900 |
Аппаратное шифрование | Да |
Скорость последовательной записи | 2500 |
Скорость последовательного чтения | 5000 |
Средняя скорость случайного чтения | 430000 |
Средняя скорость случайной записи | 530000 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
Характеристики
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps
Дата выхода на рынок | 2017 |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Толщина | 7 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Скорость последовательной записи | 530 |
Скорость последовательного чтения | 560 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Характеристики
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1200 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
Дата выхода на рынок | 2020 |
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Код товара | itm006539352421270 |
Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 160 |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 1200 |
Ресурс записи | 160 TBW |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 1700 |
Средняя скорость случайного чтения | 290000 |
Средняя скорость случайной записи | 260000 |
Энергопотребление (чтение/запись) | 2.38 |
Ресурс записи [Технические характеристики] | 160 TBW |
Характеристики
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/480 MBps, случайный доступ: 65000/76000 IOps
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 7 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Код товара | itm000000113441 |
Ресурс записи | 240 |
Аппаратное шифрование | Нет |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 480 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.48 |
Ресурс записи | 240 TBW |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 550 |
Средняя скорость случайного чтения | 65000 |
Средняя скорость случайной записи | 76000 |
Энергопотребление (чтение/запись) | 1.8 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
Ресурс записи [Технические характеристики] | 240 TBW |
Характеристики
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2000 MBps, случайный доступ: 295000/500000 IOps
Дата выхода на рынок | 2020 |
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Код товара | itm000000117154 |
Контроллер | Phison PS5012-E12 |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 300 |
Аппаратное шифрование | Нет |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 2000 |
Ресурс записи | 300 TBW |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 3200 |
Средняя скорость случайного чтения | 295000 |
Средняя скорость случайной записи | 500000 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1800000 |
Характеристики
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Код товара | itm000000141081 |
Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 320 |
Аппаратное шифрование | Нет |
Скорость последовательной записи | 1610 |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 2000 |
Средняя скорость случайного чтения | 128000 |
Средняя скорость случайной записи | 126000 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Характеристики
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 75500/76800 IOps
Дата выхода на рынок | 2020 |
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 7 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Код товара | itm000000093827 |
Охлаждение | Нет |
Аппаратное шифрование | Нет |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 500 |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 550 |
Средняя скорость случайного чтения | 75500 |
Средняя скорость случайной записи | 76800 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
Характеристики
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps
Дата выхода на рынок | 2020 |
Подсветка | Нет |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 7 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Код товара | itm007696430837 |
Контроллер | Silicon Motion SM2259 |
Охлаждение | Нет |
Аппаратное шифрование | Нет |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 430 |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 520 |
Средняя скорость случайного чтения | 50000 |
Средняя скорость случайной записи | 50000 |
Характеристики
mSATA, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps
Дата выхода на рынок | 2019 |
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | mSATA |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 4.85 |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Код товара | itm000000135497 |
Контроллер | Silicon Motion SM2259 |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 300 |
Аппаратное шифрование | Да |
Скорость последовательной записи | 520 |
Энергопотребление (ожидание) | 0.08 |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 550 |
Средняя скорость случайного чтения | 90000 |
Средняя скорость случайной записи | 80000 |
Энергопотребление (чтение/запись) | 2.4 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1000000 |
Характеристики
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6200/2300 МБайт/с, SLC, совместимость с PS5
Дата выхода на рынок | 2023 |
Подсветка | Нет |
Вариант поставки | розничная |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | M.2 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Толщина | 3.35 |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Охлаждение | Да |
Ресурс записи | 300 |
Совместимость с PS5 | Да |
Аппаратное шифрование | Нет |
Скорость последовательной записи | 2300 |
Скорость последовательного чтения | 6200 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Кэш | Да |
Характеристики
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 87000/80000 IOps
Подсветка | Нет |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Форм-фактор | 2.5 |
Объём | 512 |
Адаптер 3.5 | Нет |
Интерфейс | SATA 3.0 |
Код товара | itm000000114083 |
Охлаждение | Нет |
Ресурс записи | 425 |
Аппаратное шифрование | Нет |
Объём | 512 Гб |
Скорость последовательной записи | 540 |
Ресурс записи | 425 TBW |
Цвет | |
Скорость последовательного чтения | 560 |
Средняя скорость случайного чтения | 87000 |
Средняя скорость случайной записи | 80000 |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
Характеристики